企业简介
无锡新洁能股份有限公司 main business:电力电子元器件的制造、研发、设计、技术转让、技术服务、销售；集成电路、电子产品的研发、设计、技术转让、技术服务、销售；计算机软件的研发、技术转让；利用自有资产对外投资；环境保护专用设备的制造、销售；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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无锡新洁能股份有限公司的工商信息
- 320200000204840
- 913202000601816164
- 存续（在营、开业、在册）
- 股份有限公司(非上市、自然人投资或控股)
- 2013年01月05日
- 朱袁正
- 7590.000000
- 2013年01月05日 至 永久
- 无锡市工商行政管理局
- 2018年05月31日
- 无锡市高浪东路999号B1号楼2层
- 电力电子元器件的制造、研发、设计、技术转让、技术服务、销售；集成电路、电子产品的研发、设计、技术转让、技术服务、销售；计算机软件的研发、技术转让；利用自有资产对外投资；环境保护专用设备的制造、销售；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
分支机构
无锡新洁能股份有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | www.ncepower.com | www.ncepower.com |
| 网站 | WWW.NCEPOWER.COM |
无锡新洁能股份有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 12789607 |  |
NCEP | 2013-06-21 | 半导体;集成电路;超高频管;半导体器件;电器联接器;电池开关(电);逆变器(电);调压器;稳压电源;电池; | 查看详情 |
无锡新洁能股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN205542761U | 功率模块 | 2016.08.31 | 本实用新型涉及一种功率模块，其包括封装支撑基板以及位于所述封装支撑基板上的功率半导体芯片组，所述功率 |
| 2 | CN205376537U | 改善反向恢复特性及雪崩能力的超结MOS器件 | 2016.07.06 | 本实用新型涉及一种改善反向恢复特性及雪崩能力的超结MOS器件，其包括器件区域及终端区域，由第一导电类 |
| 3 | CN205488134U | 适用于电荷耦合器件的半导体结构 | 2016.08.17 | 本实用新型涉及一种适用于电荷耦合器件的半导体结构，其在所述半导体器件的截面上，终端保护区的第一导电类 |
| 4 | CN205488091U | 适用于三端功率器件的薄型封装模块 | 2016.08.17 | 本实用新型涉及一种适用于三端功率器件的薄型封装模块，其包括封装基板以及位于所述封装基板上的功率开关电 |
| 5 | CN106158764A | 功率模块用底板及功率模块 | 2016.11.23 | 本发明涉及一种功率模块用底板及功率模块，包括底板基体，在底板基体的一面设有用于焊接覆铜陶瓷基板或功率 |
| 6 | CN103474465B | 一种超结MOSFET器件及其制造方法 | 2016.06.08 | 本发明公开一种超结MOSFET器件及其制造方法，在第一导电类型漂移层内设置紧邻第二导电类型体区的第一 |
| 7 | CN205789991U | 沟槽型功率MOSFET器件 | 2016.12.07 | 本实用新型涉及一种沟槽型功率MOSFET器件，其有源区的元胞采用沟槽结构，元胞沟槽内设有绝缘氧化层， |
| 8 | CN206134689U | 高集成度的低压沟槽栅DMOS器件 | 2017.04.26 | 本实用新型提供一种高集成度的低压沟槽栅DMOS器件，包括第一导电类型重掺杂衬底，在第一导电类型衬底上 |
| 9 | CN206116387U | 一种大电流功率半导体器件的封装结构 | 2017.04.19 | 本实用新型涉及一种大电流功率半导体器件的封装结构，包括散热片、半导体芯片、塑封体和装片基岛，装片基岛 |
| 10 | CN206116403U | 一种优化开关特性的超结半导体器件 | 2017.04.19 | 本实用新型涉及一种优化开关特性的超结半导体器件器件，其特征在于：在沟槽栅型超结半导体器件的表面引入集 |
| 11 | CN205984966U | 一种大电流功率半导体器件的封装结构 | 2017.02.22 | 本实用新型涉及一种大电流功率半导体器件的封装结构，包括环氧树脂封装体、引线框架、半导体芯片和引线，半 |
| 12 | CN104241386B | 具有低特征导通电阻的功率MOSFET器件及其制造方法 | 2017.02.01 | 本发明涉及一种具有低特征导通电阻的功率MOSFET及其制造方法，其元件区包括第一沟槽及第二沟槽；第一 |
| 13 | CN106340537A | 高集成度的低压沟槽栅DMOS器件及制造方法 | 2017.01.18 | 本发明提供一种高集成度的低压沟槽栅DMOS器件的制造方法，通过栅电极刻蚀时其上方保留的第一绝缘介质层 |
| 14 | CN103996704B | 一种具有精确检测功能的IGBT及其制造方法 | 2017.01.11 | 本发明公开一种具有精确检测功能的IGBT及其制造方法。所述IGBT器件包括：主器件区域、被主器件区域 |
| 15 | CN103996666B | 功率半导体器件及其制造方法 | 2017.01.11 | 本发明涉及一种功率半导体器件及其制造方法，在VDMOSFET芯片的截止保护区中设置了通孔区，确保器件 |
| 16 | CN106298946A | 一种降低低压Trench DMOS导通电阻的制造方法 | 2017.01.04 | 本发明涉及一种降低低压Trench DMOS导通电阻的制造方法，方法包括，在超重掺杂衬底上生长外延层 |
| 17 | CN106298722A | 一种大电流功率半导体器件的封装结构及制造方法 | 2017.01.04 | 本发明涉及一种大电流功率半导体器件的封装结构及制造方法，包括散热片、半导体芯片、塑封体和装片基岛，装 |
| 18 | CN106298544A | 沟槽DMOS器件的制造方法和结构 | 2017.01.04 | 本发明提供一种沟槽DMOS器件的制造方法和结构，不使用源极光刻板，整套工艺流程只需要3层光罩即可实现 |
| 19 | CN106158927A | 一种优化开关特性的超结半导体器件及制造方法 | 2016.11.23 | 本发明涉及一种优化开关特性的超结半导体器件及制造方法，其特征在于：在沟槽栅型超结半导体器件的表面引入 |
| 20 | CN103985746B | 沟槽型IGBT器件及其制造方法 | 2016.10.05 | 本发明涉及一种沟槽型IGBT器件及其制造方法，其特征在于：在有源区半导体基板第一主面的第一导电类型漂 |
| 21 | CN105957895A | 沟槽型功率MOSFET器件及其制造方法 | 2016.09.21 | 本发明涉及一种沟槽型功率MOSFET器件及其制造方法，其有源区的元胞采用沟槽结构，元胞沟槽内设有绝缘 |
| 22 | CN104037718B | 一种单周期电流控制功率模块装置 | 2016.08.24 | 本发明涉及一种单周期电流控制功率模块装置，其包括用于接收PWM信号并驱动功率开关组件B1工作的驱动电 |
| 23 | CN205488135U | 具有载流子存储结构的IGBT器件 | 2016.08.17 | 本实用新型涉及一种具有载流子存储结构的IGBT器件，其有源区采用沟槽结构，在有源区的第一导电类型漂移 |
| 24 | CN205319162U | 具有防静电保护结构的低压MOSFET器件 | 2016.06.15 | 本实用新型涉及一种具有防静电保护结构的低压MOSFET器件，其静电保护区包括位于第一导电类型漂移区内 |
| 25 | CN105679810A | 适用于电荷耦合器件的半导体结构及其制造方法 | 2016.06.15 | 本发明涉及一种适用于电荷耦合器件的半导体结构及其制造方法，其在所述半导体器件的截面上，终端保护区的第 |
| 26 | CN103824834B | 一种具有改进型封装结构的半导体器件及其制造方法 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种具有改进型封装结构的半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括半导体芯片、引线框架和 |
| 27 | CN105633139A | 具有载流子存储结构的IGBT器件及其制造方法 | 2016.06.01 | 本发明涉及一种具有载流子存储结构的IGBT器件及其制造方法，其有源区采用沟槽结构，在有源区的第一导电 |
| 28 | CN105529313A | 适用于三端功率器件的薄型封装模块 | 2016.04.27 | 本发明涉及一种适用于三端功率器件的薄型封装模块，其包括封装基板以及位于所述封装基板上的功率开关电路， |
| 29 | CN105470309A | 具有防静电保护结构的低压MOSFET器件及其制造方法 | 2016.04.06 | 本发明涉及一种具有防静电保护结构的低压MOSFET器件及其制造方法，其静电保护区包括位于第一导电类型 |
| 30 | CN105448997A | 改善反向恢复特性及雪崩能力的超结MOS器件及其制造方法 | 2016.03.30 | 本发明涉及一种改善反向恢复特性及雪崩能力的超结MOS器件及其制造方法，其包括器件区域及终端区域，由第 |
| 31 | CN205051676U | 半桥驱动电路 | 2016.02.24 | 本实用新型涉及半桥驱动电路，其包括上半桥驱动信号放大输出电路以及下半桥驱动信号放大输出电路，上半桥驱 |
| 32 | CN105322948A | 半桥驱动电路 | 2016.02.10 | 本发明涉及半桥驱动电路，其包括上半桥驱动信号放大输出电路以及下半桥驱动信号放大输出电路，上半桥驱动信 |
| 33 | CN204966482U | 功率端子以及利用所述功率端子的功率模块 | 2016.01.13 | 本实用新型涉及一种功率端子以及功率模块，尤其是一种功率端子以及利用所述功率端子的功率模块，属于功率电 |
| 34 | CN204886777U | 采用功率模块的电机控制器 | 2015.12.16 | 本实用新型涉及一种采用功率模块的电机控制器，其包括散热底板以及位于所述散热底板上的外壳体，所述外壳体 |
| 35 | CN105118816A | 功率端子以及利用所述功率端子的功率模块 | 2015.12.02 | 本发明涉及一种功率端子以及功率模块，尤其是一种功率端子以及利用所述功率端子的功率模块，属于功率电力电 |
| 36 | CN204793295U | 薄型功率模块 | 2015.11.18 | 本实用新型涉及一种薄型功率模块，其包括散热底板以及固定支撑在所述散热底板上的外壳体，所述外壳体与散热 |
| 37 | CN105006484A | 一种超结半导体器件及其制造方法 | 2015.10.28 | 本发明涉及一种超结半导体器件及其制造方法，其超结结构的单元尺寸为W，其中，超结结构中第一导电类型柱的 |
| 38 | CN105007020A | 采用功率模块的电机控制器 | 2015.10.28 | 本发明涉及一种采用功率模块的电机控制器，其包括散热底板以及位于所述散热底板上的外壳体，所述外壳体与散 |
| 39 | CN105006670A | 薄型功率模块 | 2015.10.28 | 本发明涉及一种薄型功率模块，其包括散热底板以及固定支撑在所述散热底板上的外壳体，所述外壳体与散热底板 |
| 40 | CN204706567U | 一种超结半导体器件 | 2015.10.14 | 本实用新型涉及一种超结半导体器件，其超结结构的单元尺寸为W，其中，超结结构中第一导电类型柱的宽度为W |
| 41 | CN204558472U | 利用电荷耦合实现耐压的肖特基二极管 | 2015.08.12 | 本实用新型涉及一种利用电荷耦合实现耐压的肖特基二极管，其在有源区包括位于所述有源区最外圈的桥接元胞环 |
| 42 | CN204497236U | 利用电荷耦合实现耐压的功率MOS器件 | 2015.07.22 | 本实用新型涉及一种利用电荷耦合实现耐压的功率MOS器件，其连接耐压环采用沟槽结构，在连接耐压沟槽内填 |
| 43 | CN104752523A | 利用电荷耦合实现耐压的肖特基二极管及其制备方法 | 2015.07.01 | 本发明涉及一种利用电荷耦合实现耐压的肖特基二极管及其制备方法，其在有源区包括位于所述有源区最外圈的桥 |
| 44 | CN103236439B | 一种新型结构的VDMOS器件及其制造方法 | 2015.06.17 | 本发明公开一种新型结构的VDMOS器件及其制造方法，在有源区内设置第一沟槽，并且第一沟槽内壁生长厚的 |
| 45 | CN104716192A | 利用电荷耦合实现耐压的功率MOS器件及其制备方法 | 2015.06.17 | 本发明涉及一种利用电荷耦合实现耐压的功率MOS器件及其制备方法，其连接耐压环采用沟槽结构，在连接耐压 |
| 46 | CN204375758U | 具有超高元胞密度的深沟槽功率MOS器件 | 2015.06.03 | 本实用新型涉及一种具有超高元胞密度的深沟槽功率MOS器件，其元胞区内的元胞采用沟槽结构，在功率MOS |
| 47 | CN204375757U | 能实现电流双向流通的功率MOSFET器件 | 2015.06.03 | 本实用新型涉及一种能实现电流双向流通的功率MOSFET器件，其元件区包括栅极金属区、源极金属区以及体 |
| 48 | CN104600119A | 能实现电流双向流通的功率MOSFET器件及其制造方法 | 2015.05.06 | 本发明涉及一种能实现电流双向流通的功率MOSFET器件及其制造方法，其元件区包括栅极金属区、源极金属 |
| 49 | CN104576743A | 具有超高元胞密度的深沟槽功率MOS器件及其制造方法 | 2015.04.29 | 本发明涉及一种具有超高元胞密度的深沟槽功率MOS器件及其制造方法，其元胞区内的元胞采用沟槽结构，在功 |
| 50 | CN102623504B | 具有终端结构的超结半导体器件及其制造方法 | 2015.03.04 | 本发明涉及一种具有终端结构的超结半导体器件及其制造方法，其包括位于半导体基板上的有源区及终端保护区， |
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